應(yīng)用范圍：
測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（介質(zhì)損耗角正切值）
技術(shù)參數(shù)：

儀器自動扣除殘余電感和測試引線電感。大幅提高測量精度。
大電容值直接測量顯示。
參照標(biāo)準(zhǔn)：ASTM D150-11實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法；
GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法；

GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法；

GBT5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法第4部分:介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測試方法；

GB/T 1693-2007、ASTM D150-11、GB/T1409-2006、GBT5594.4-2015介電性能測試儀 GB/T 1693 ASTM D150是各種金屬氧化物，板材，瓷器（陶器），云母，玻璃，塑料等物質(zhì)的一項重要的物理性質(zhì)。通過測定可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

產(chǎn)品介紹:
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種金屬氧化物，板材，瓷器（陶器），云母，玻璃，塑料等物質(zhì)的一項重要的物理性質(zhì)。通過測定可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)。該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

介電常數(shù)測試儀術(shù)語

 定義：

這些試驗方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)D1711。

本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語定義：

電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢差時，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。

討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：

C=q/V 　　　　　　　　　　（1）

耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。

D=K''/K' 　　　　(2)

4　相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn)，ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊卷次信息，可參見ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。

5　該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版討論——a：

D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp　　　　　　　　(3)

式中：

G=等效交流電導(dǎo)，

Xp=并聯(lián)電抗，

Rp=等效交流并聯(lián)電阻，

Cp=并聯(lián)電容，

ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

D=ωRsCs=1/ωRpCp　　　　　　　　(4)

串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：

Cp=Cs/(1 D2) 　　　　　　　　　　　　(5)

Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2　　　　　　　　　　　　　(6)